PARTNER
パートナー
株式会社京都セミコンダクター
通信用途：フォトダイオード、PIN-TIAレシーバー、APD-TIAレシーバー、VCSEL
光センシング用途：点光源LED、二波長LED、赤色LED、可視光LED、平行光LED、紫外線LED、赤外線LED、シリコンフォトダイオード、UVセンサー、InGaAsフォトダイオード、シリコンフォトダイオードアレイ、シリコンフォトトランジスタ、シリコンアバランシェフォトダイオード
PARTNER'S PRODUCT
取扱製品
シリコンアバランシェフォトダイオード
形名 受光径 (µm dia.) ピーク感度 波長 (nm) 感度 増幅率 パッケージ 特徴及び用途 (A/W) @λ(nm) KPDA020-H8 [...]
電子冷却付InGaAs・InAsフォトダイオード
形名 受光サイズ (mm) ピーク感度 波長 (nm), Typ. 感度 半値角 (deg) パッケージ 特徴及び用途 (A/W) @λ(nm) KP[...]
シリコン高速応答フォトダイオード
形名 受光径 (µm dia.) ピーク感度 波長 (nm), Typ. 感度 半値角 (deg) パッケージ 特徴及び用途 (A/W) @λ(nm)[...]
シリコンUVセンサー
形名 受光サイズ (mm) ピーク感度 波長 (nm), Typ. 感度 半値角 (deg) パッケージ 特徴及び用途 (A/W) @λ(nm) KP[...]
樹脂モールド赤外LED
発光色 形名 外径 (mm) 樹脂タイプ チップ材質 発光波長 (nm) 半値角 (deg) 光度 (mcd) 光出力 (mW) 順電圧 (V) @I[...]
赤外線LED
形名 チップ材質 発光波長 (nm) 光出力 半値角 (deg) パッケージ 特徴及び用途 (mW) @IF(mA) KED050CX-T GaAlA[...]
紫外線LED
形名 チップ材質 発光波長 (nm) 光出力 半値角 (deg) パッケージ 特徴及び用途 (mW) @IF(mA) KED373US1 InGaN [...]
平行光LED
形名 チップ材質 発光波長 (nm) 光出力 半値角 (deg) パッケージ 特徴及び用途 (mW) @IF(mA) KED358RHDQ GaAlA[...]
シリコンフォトトランジスタ
形名 受光サイズ (mm) ピーク感度 波長 (nm), Typ. 光電流 VCE=5V 半値角 (deg) パッケージ 特徴及び用途 (mA) (I[...]
シリコンフォトダイオードアレイ
形名 受光サイズ (mm) ピーク感度 波長 (nm), Typ. 感度 半値角 (deg) パッケージ 特徴及び用途 (A/W) @λ(nm) KD[...]
長波長InGaAsフォトダイオード
形名 受光径 (µm dia.) 検出波長 (nm) 感度 パッケージ 特徴及び用途 (A/W) @λ(nm) KPDE0301M51 300 900[...]
GaN UVセンサー
形名 受光サイズ (mm) ピーク感度 波長 (nm), Typ. 感度 半値角 (deg) パッケージ 特徴及び用途 (A/W) @λ(nm) KP[...]
シリコンフォトダイオード
形名 受光サイズ (mm) ピーク感度 波長 (nm), Typ. 短絡電流 半値角 (deg) パッケージ 特徴及び用途 (µA) (IX) KPD[...]
樹脂モールド可視光LED
発光色 形名 外径 (mm) 樹脂タイプ チップ材質 発光波長 (nm) 半値角 (deg) 光度 (mcd) 光出力 (mW) 順電圧 (V) @I[...]
赤色LED
チップ材質 発光波長 (nm) 光出力 半値角 (deg) パッケージ 特徴及び用途 (mW) @IF(mA) GaAlAs 660 1.8 20 1[...]
二波長LED
チップ材質 発光波長 (nm) 光出力 半値角 (deg) パッケージ 特徴及び用途 (mW) @IF(mA) 赤外：GaAs 赤：GaAlAs 赤外[...]
点光源LED
チップ材質 発光波長 (nm) 光出力 半値角 (deg) パッケージ 特徴及び用途 (mW) @IF(mA) GaAlAs 850 2.4 50 1[...]
850nm VCSEL
形名 ピーク波長 (nm), Typ. 光出力 (mW), Typ. パッケージ 特徴及び用途 KLD085VC 850(λp) 2.5 @7mA ハ[...]
GaAs PIN-TIAレシーバー
形名 ビットレート (bps) 最小受信感度 (dBm), Typ. パッケージ 特徴及び用途 KPGX1GK 1.25G -24 @3.3V ハーメ[...]
InGaAs APD-TIAレシーバー
形名 ビットレート (bps) 最小受信感度 (dBm), Typ. パッケージ 特徴及び用途 KPDXA1GK 1.25G -38 @45V ハーメ[...]
InGaAs PIN-TIAレシーバー
形名 ビットレート (bps) 最小受信感度 (dBm), Typ. パッケージ 特徴及び用途 KPDX150MB 156M -39 @3.3V ハー[...]
Si PINフォトダイオード
形名 受光サイズ 暗電流 パッケージ 特徴及び用途 Typ. KPID020D 200µmφ 10pA@3V ハーメチックシール DC-2GHz レシ[...]
GaAsフォトダイオード
形名 受光サイズ 暗電流 パッケージ 特徴及び用途 Typ. KPDG008 80µmφ 30pA@5V ハーメチックシール ピグテール 780-85[...]
InGaAsアバランシェフォトダイオード
形名 受光サイズ 帯域幅 M=10 パッケージ 特徴及び用途 KPDEA005-56F 55µmφ 3.0GHz ハーメチックシール 低雑音、幹線系、[...]
InGaAs 高速フォトダイオード
形名 受光サイズ 暗電流 パッケージ 特徴及び用途 Typ. KPDEH16C 16µmφ 0.5nA@2V チップ 25Gbps レシーバー KPD[...]
STAFF COMMENT
担当スタッフコメント
営業部マネージャー
五反田 浩
Hiroshi Gotanda
セブンシックスでは、可視～中赤外に渡るユニークなレーザ光源と
京都セミコンダクター社の高信頼性のディテクタを組み合わせたソリューションを提供します。