PD
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シリコンフォトダイオードアレイ
形名 受光サイズ (mm) ピーク感度 波長 (nm), Typ. 感度 半値角 (deg) パッケージ 特徴及び用途 (A/W) @λ(nm) KDA16S 0.74×2.0 900(λp) 0.54 850 […]
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- 京セミ
長波長InGaAsフォトダイオード
形名 受光径 (µm dia.) 検出波長 (nm) 感度 パッケージ 特徴及び用途 (A/W) @λ(nm) KPDE0301M51 300 900 – 1700 0.9 1550 φ3樹脂モールド 水分セ […]
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- 京セミ
GaN UVセンサー
形名 受光サイズ (mm) ピーク感度 波長 (nm), Typ. 感度 半値角 (deg) パッケージ 特徴及び用途 (A/W) @λ(nm) KPDU27HQ1 0.07 200-290 0.06 254 TO-46 […]
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- 京セミ
Si PINフォトダイオード
形名 受光サイズ 暗電流 パッケージ 特徴及び用途 Typ. KPID020D 200µmφ 10pA@3V ハーメチックシール DC-2GHz レシーバー KPID050M 500µmφ 40pA@3V DC-400M […]
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- 京セミ
GaAsフォトダイオード
形名 受光サイズ 暗電流 パッケージ 特徴及び用途 Typ. KPDG008 80µmφ 30pA@5V ハーメチックシール ピグテール 780-850nm VCSEL用DC-2.5Gbps レシーバー KPDG020C […]
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- 京セミ
InGaAs 高速フォトダイオード
形名 受光サイズ 暗電流 パッケージ 特徴及び用途 Typ. KPDEH16C 16µmφ 0.5nA@2V チップ 25Gbps レシーバー KPDEH16DC 16µmφ 0.5nA@2V KPDEH16DLC 40 […]
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- 京セミ
多チャンネルTAP-PD
- パートナー：
- Dicon